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Figure 7. Reverse Recovery Softness Factor vs
dIF/dt
Figure 8. Reverse Recovered Charge vs dIF/dt
Figure 9. Junction Capacitance vs Reverse
Voltage
Figure 10. Reverse Recovery Current and Times
vs Case Temperature
Figure 11. DC Current Derating Curve
Typical Performance Curves (Continued)
3200
4
5
6
7
8
9
10
400 600 800 1000 1200 1400
dIF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
VR
= 7
80V, TC
=
125oC
IF
= 30
A
IF
= 15
A
IF
= 7.
5A
S, REV
E
RSE RECOVERY SOFTNESS FACTOR
800
1200
1600
2000
2400
2800
3200
3600
200 400
600 800 1000 1200 1400
dIF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
VR
= 7
80V, TC
=
125oC
IF
= 3
0A
IF
= 15A
IF
= 7
.5A
Q
RR
, REVE
RSE RE
COVERED CHARGE (nC)
0
200
400
600
800
1000
1200
0.1
1
10
100
0.01
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
C
J
, J
UNCT
ION CAPACITANCE (pF)
f = 1MHZ
TC, CASE TEMPERATURE (oC)
25 50
75 100 125 150
t
RR
,
RECO
VERY TIMES (ns)
I
RM
(
REC)
,
M
AX REVERSE RECOVERY CURRENT (A)
-12.5
-12.0
-11.5
-11.0
-10.5
-10.0
-9.5
-9.0
-8.5
240
260
280
300
320
340
360
380
400
tRR
IRM(REC)
IF
= 18A, V
R = 780V, dIF
/dt = 300A/μs
ISL9R18120G2
,
ISL9R18120P2
,
I
SL9R18120S3S
— STEALTH? Diode
?2002
Fairchild
Semiconductor Corporation
ISL9R18120G2, ISL9R18120P2,
ISL9R18120S3S
Rev.
C2
www.fairchildsemi.com
4
25
50 75 100 125 150 175o
C]
0
20
40
60
A
v
erage Forward Current, I
F(A
V
)
[A
]
Case temperature, TC
[
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